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HVC362TRF-E

更新时间: 2024-10-29 19:29:03
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS ISM频段光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 105K
描述
15V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE

HVC362TRF-E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-F2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.12
最小击穿电压:15 V配置:SINGLE
最小二极管电容比:3二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-F2
JESD-609代码:e6湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN BISMUTH端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:20
Base Number Matches:1

HVC362TRF-E 数据手册

  

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