HUF76137P3

更新时间： 2024-11-24 22:48:27

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关局域网
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11页	283K
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75A, 30V, 0.009 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs

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HUF76137P3 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.29
其他特性：	ULTRA-LOW RESISTANCE	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.0125 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	145 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

HUF76137P3 数据手册

HUF76137P3, HUF76137S3S

Data Sheet

January 2003

75A, 30V, 0.009 Ohm, N-Channel, Logic

Level UltraFET Power MOSFETs

Features

• Logic Level Gate Drive

• 75A, 30V

These N-Channel power MOSFETs

are manufactured using the

• Ultra Low On-Resistance, r

= 0.009Ω

innovative UltraFET™ process.

DS(ON)

This advanced process technology

• Temperature Compensating PSPICE™ Model

• Temperature Compensating SABER™ Model

• Thermal Impedance SPICE Model

• Thermal Impedance SABER Model

• Peak Current vs Pulse Width Curve

• UIS Rating Curve

achieves the lowest possible on-resistance per silicon area,

resulting in outstanding performance. This device is capable

of withstanding high energy in the avalanche mode and the

diode exhibits very low reverse recovery time and stored

charge. It was designed for use in applications where power

efficiency is important, such as switching regulators,

switching converters, motor drivers, relay drivers, low-

voltage bus switches, and power management in portable

and battery-operated products.

• Related Literature

- TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

Formerly developmental type TA76137.

Ordering Information

Symbol

PART NUMBER

PACKAGE

TO-220AB

TO-263AB

BRAND

76137P

76137S

HUF76137P3

HUF76137S3S

NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix T to

obtain the TO-263AB variant in tape and reel, e.g., HUF76137S3ST.

Packaging

JEDEC TO-220AB

JEDEC TO-263AB

SOURCE

DRAIN

GATE

DRAIN

(FLANGE)

GATE

DRAIN

(FLANGE)

SOURCE

HUF76137P3, HUF76137S3S Rev. C1

12 3 4 5 6 7...11

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HUF76137S3ST	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 75A I(D) \| TO-263AB
HUF76137S3STK	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
HUF76139P3	FAIRCHILD	获取价格	75A, 30V, 0.0075 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs
HUF76139P3	INTERSIL	获取价格	75A, 30V, 0.0075 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs
HUF76139S3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 75A I(D) \| TO-262AA
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