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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | TO-263AB, 3 PIN |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.19 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | ULTRA-LOW RESISTANCE |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 75 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 75 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0125 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 145 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HUF76137S3ST | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
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| HUF76137S3STK | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| HUF76139P3 | FAIRCHILD |
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75A, 30V, 0.0075 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs |
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| HUF76139P3 | INTERSIL |
获取价格 |
75A, 30V, 0.0075 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs |
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| HUF76139S3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-262AA |
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| HUF76139S3S | FAIRCHILD |
获取价格 |
75A, 30V, 0.0075 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs |
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| HUF76139S3S | INTERSIL |
获取价格 |
75A, 30V, 0.0075 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs |
|
| HUF76139S3ST | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
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| HUF76139S3ST_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| HUF76139S3STK | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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