5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-XUFM-X1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.55 |
| 应用： | ULTRA FAST RECOVERY | 外壳连接： | ANODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.975 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X1 | 最大非重复峰值正向电流： | 1500 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 100 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 150 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.05 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HU10020 | MICROSEMI |
获取价格 |
Ultrafast Recovery Modules |
|
| HU10020R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 200V V(RRM), Silicon, |
|
| HU10020RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 200V V(RRM), Silicon, |
|
| HU101 | MICROSEMI |
获取价格 |
Ultrafast Recovery Modules |
|
| HU101 | GSR |
获取价格 |
4th Gen Intel® CoreTM Mini-ITX |
|
| HU10120 | MICROSEMI |
获取价格 |
Ultrafast Recovery Modules |
|
| HU10120R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 200V V(RRM), Silicon, |
|
| HU10120RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 200V V(RRM), Silicon, |
|
| HU10130 | MICROSEMI |
获取价格 |
Ultrafast Recovery Modules |
|
| HU10130R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 300V V(RRM), Silicon, |
|
MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
高压电解电容的分类与选型策略
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
