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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.55 | 应用： | ULTRA FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.975 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 1500 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 100 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 200 V | 最大反向恢复时间： | 0.05 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HU10020R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 200V V(RRM), Silicon, |
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| HU10020RE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 200V V(RRM), Silicon, |
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| HU101 | MICROSEMI |
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Ultrafast Recovery Modules |
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| HU101 | GSR |
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4th Gen Intel® CoreTM Mini-ITX |
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| HU10120 | MICROSEMI |
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Ultrafast Recovery Modules |
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| HU10120R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 200V V(RRM), Silicon, |
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| HU10120RE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 200V V(RRM), Silicon, |
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| HU10130 | MICROSEMI |
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Ultrafast Recovery Modules |
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| HU10130R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 300V V(RRM), Silicon, |
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| HU10140 | MICROSEMI |
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Ultrafast Recovery Modules |
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