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HSU276

更新时间: 2024-10-02 05:38:43
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 肖特基二极管微波混频二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 61K
描述
Silicon Schottky Barrier Diode for Detector and Mixer

HSU276 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.60
风险等级:5.8Is Samacsys:N
配置:SINGLE最大二极管电容:0.85 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:MIXER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最大输出电流:0.03 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:3 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

HSU276 数据手册

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HSU276  
Silicon Schottky Barrier Diode for Detector and Mixer  
REJ03G0141-0700Z  
(Previous: ADE-208-078F)  
Rev.7.00  
Nov.10.2003  
Features  
High forward current, Low capacitance.  
Ultra small Resin Package (URP) is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.  
Ordering Information  
Type No.  
Laser Mark  
Package Code  
HSU276  
3
URP  
Pin Arrangement  
Cathode mark  
Mark  
1
2
1. Cathode  
2. Anode  
Rev.7.00, Nov.10.2003, page 1 of 4  

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