HSM198STR

更新时间： 2024-02-28 06:59:28

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HSM198STR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.21
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	最大二极管电容：	1.5 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	Base Number Matches：	1

HSM198S

Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector

REJ03G0607-0400

(Previous: ADE-208-090C)

Rev.4.00

Apr 25, 2005

Features

•

Detection efficiency is very good.

Small temperature coefficient.

HSM198S which is interconnected in series configuration is designed for balanced mixer use.

MPAK package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.

Ordering Information

Package Code

(Previous Code)

Type No.

Laser Mark

Package Name

HSM198S

MPAK

PLSP0003ZC-A

(MPAK)

Pin Arrangement

1. Cathode 2

2. Anode 1

3. Cathode 1

Anode 2

(Top View)

Rev.4.00 Apr 25, 2005 page 1 of 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HSM198STR-E	RENESAS	获取价格	SILICON, MIXER DIODE
HSM21PT	CHENMKO	获取价格	HIGH EFFICIENCY SILICON RECTIFIER
HSM221C	RENESAS	获取价格	Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching
HSM221C	HITACHI	获取价格	Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching
HSM221CTL	RENESAS	获取价格	0.1A, SILICON, SIGNAL DIODE
HSM221CTL-E	RENESAS	获取价格	暂无描述
HSM221CTR	HITACHI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon
HSM221CTR-E	RENESAS	获取价格	暂无描述
HSM223C	HITACHI	获取价格	Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching
HSM223C	RENESAS	获取价格	Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching