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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.43 |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 最大非重复峰值正向电流： | 4 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最大输出电流： | 0.1 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大反向电流： | 0.1 µA | 最大反向恢复时间： | 0.003 µs |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HSM221CTR-E | RENESAS |
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暂无描述 |
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| HSM223C | HITACHI |
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Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching |
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| HSM223C | RENESAS |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching |
|
| HSM223CTL | RENESAS |
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暂无描述 |
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| HSM223CTR | RENESAS |
获取价格 |
0.1A, SILICON, SIGNAL DIODE |
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| HSM223CTR-E | RENESAS |
获取价格 |
0.1A, SILICON, SIGNAL DIODE |
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| HSM226S | RENESAS |
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Silicon Schottky Barrier Diode for High speed switching |
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| HSM226S_06 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon Schottky Barrier Diode for High Speed Switching |
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| HSM226STR | RENESAS |
获取价格 |
Rectifier Diode |
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| HSM22DRAH | ETC |
获取价格 |
CONN EDGE DUAL FMALE 44POS 0.156 |
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