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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.71 |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 最大非重复峰值正向电流： | 4 A |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最大输出电流： | 0.1 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大反向电流： | 0.01 µA | 最大反向恢复时间： | 0.1 µs |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HSM124S | HITACHI | Silicon Epitaxial Planar Diode for Switching |
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| HSM124S | RENESAS | Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching |
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| HSM124STL | RENESAS | 0.1A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
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| HSM124STL-E | RENESAS | 0.1A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
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| HSM124STR | RENESAS | 暂无描述 |
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| HSM125WK | ETC |
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| HSM126S | RENESAS | Silicon Schottky Barrier Diode for System Protection |
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| HSM126S | HITACHI | Silicon Schottky Barrier Diode for System Protection |
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| HSM126S-E | RENESAS | UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, MPAK-3 |
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| HSM126STL | RENESAS | UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
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| HSM126STL-E | RENESAS | 暂无描述 |
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| HSM126STR | HITACHI | Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 2 Element, Silicon |
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| HSM126STR | RENESAS | UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
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| HSM12DRAH | ETC | CONN EDGE DUAL FMALE 24POS 0.156 |
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| HSM12DRAI | ETC | CONN EDGE DUAL FMALE 24POS 0.156 |
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| HSM12DRAN | ETC | CONN EDGE DUAL FMALE 24POS 0.156 |
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| HSM12DRAS | ETC | CONN EDGE DUAL FMALE 24POS 0.156 |
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| HSM12DREF | ETC | CONN EDGE DUAL FMALE 24POS 0.156 |
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| HSM12DREH | ETC | CONN EDGE DUAL FMALE 24POS 0.156 |
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| HSM12DREN | ETC | CONN EDGE DUAL FMALE 24POS 0.156 |
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