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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SC-82 |
| 包装说明： | SC-82, CMPAK-4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.55 |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 0.1 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 300 V | 最大反向电流： | 100 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.1 µs | 反向测试电压： | 300 V |
| 子类别： | Other Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HSB83YP-E | RENESAS | 0.1A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, CMPAK-4 |
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| HSB83YPTL | RENESAS | 0.1A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, SC-82, CMPAK-4 |
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| HSB83YPTR | RENESAS | 0.1A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, SC-82, CMPAK-4 |
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| HSB857 | HSMC | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
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| HSB857D | HSMC | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
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| HSB857J | HSMC | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
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