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HSB857D

更新时间： 2024-02-01 19:41:07

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HSMC		晶体晶体管局域网
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4页	38K
描述
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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HSB857D 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	3 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	170
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

HSB857D 数据手册

Spec. No. : HE6705

Issued Date : 1995.01.27

Revised Date : 2002.03.06

Page No. : 1/4

HI-SINCERITY

MICROELECTRONICS CORP.

HSB857D

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description

Low frequency power amplifier.

TO-126ML

Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)

• Maximum Temperatures

Storage Temperature.............................................................................................. -50~+150 °C

Junction Temperature.................................................................................... +150 °C Maximum

• Maximum Power Dissipation

Total Power Dissipation (Ta=25°C).....................................................................................1.5 W

Total Power Dissipation (Tc=25°C) ......................................................................................10 W

• Maximum Voltages and Currents

BVCBO Collector to Base Voltage.......................................................................................-60 V

BVCEO Collector to Emitter Voltage................................................................................... -50 V

BVEBO Emitter to Base Voltage........................................................................................... -5 V

IC Collector Current.............................................................................................................. -3 A

IC Collector Current (IC Peak)........................................................................................... -4.5 A

Electrical Characteristics (Ta=25°C)

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

ICEO

IEBO

*VCE(sat)

*VBE(sat)

*hFE

-60

-50

-5

170

IC=-50uA

IC=-1mA

IE=-50uA

VCB=-50V

VCE=-40V

VEB=-4V

IC=-2A, IB=-0.2A

IC=-500mA, VCE=-3V

VCE=-5V, IC=-500mA, f=100MHz

-1

-1.5

400

-0.3

MHz

*Pulse Test: Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%

HSB857D

HSMC Product Specification

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