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HS4-6514RH-Q

更新时间: 2024-11-01 19:10:59
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 701K
描述
HS4-6514RH-Q

HS4-6514RH-Q 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:QCCN, LCC18,.35X.42Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.92最长访问时间:120 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XQCC-N18
JESD-609代码:e0内存密度:4096 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
端子数量:18字数:1024 words
字数代码:1000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:1KX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC18,.35X.42封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535V;38534K;883S最大待机电流:0.000004 A
最小待机电流:1.8 V子类别:SRAMs
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
总剂量:100k Rad(Si) VBase Number Matches:1

HS4-6514RH-Q 数据手册

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