HP4410

更新时间： 2024-02-19 02:06:37

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
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6页	153K
描述
10A, 30V, 0.0135 Ohm, Single N-Channel, Logic Level Power MOSFET

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HP4410 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SO-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.21
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.0135 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A
认证状态：	COMMERCIAL	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

HP4410 数据手册

HP4410DY

Typical Performance Curves Unless Otherwise Speciﬁed (Continued)

0.10

0.08

0.06

0.04

0.02

PULSE DURATION = 80µs

DUTY CYCLE = 0.5% MAX

= 150 C

= 25 C

= 10A

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)

, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)

FIGURE 7. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE

FIGURE 8. DRAINTO SOURCE ON RESISTANCE vs

GATE TO SOURCE VOLTAGE

0.4

0.2

0.0

= 250µA

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-50

-25

100

125

150

0.01

0.10

1.00

10.00

T , JUNCTION TEMPERATURE ( C)

t, PULSE WIDTH (s)

FIGURE 9. GATETHRESHOLDVOLTAGEVARIANCE

vs JUNCTION TEMPERATURE

FIGURE 10. SINGLE PULSE POWER CAPABILITY vs PULSE

WIDTH

DUTY CYCLE = 0.5

0.2

0.1

0.05

DUTY CYCLE, D = t /t

+ T

0.02

= P x Z

x R

JA A

SURFACE MOUNTED

SINGLE PULSE

0.01

-4

-3

-2

-1

t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)

FIGURE 11. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE

HP4410DY Rev. B

1 2 345 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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