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HP4410

更新时间： 2024-02-27 16:39:16
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
6页 153K
描述
10A, 30V, 0.0135 Ohm, Single N-Channel, Logic Level Power MOSFET

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HP4410 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：SO-8针数：8
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.21
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：10 A
最大漏源导通电阻：0.0135 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：YES
端子面层：TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

HP4410 数据手册

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HP4410DY  
Typical Performance Curves Unless Otherwise Specified  
50  
40  
30  
20  
10  
0
50  
40  
30  
20  
10  
0
V
= 10V - 5V  
PULSE DURATION = 80µs  
GS  
PULSE DURATION = 80µs  
DUTY CYCLE = 0.5% MAX  
DUTY CYCLE = 0.5% MAX  
4V  
3V  
o
o
-55 C  
T
= 125 C  
A
o
25 C  
0
2
4
6
8
10  
0
1
2
3
4
5
V
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
V
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
DS  
GS  
FIGURE 1. OUTPUT CHARACTERISTICS  
FIGURE 2. TRANSFER CHARACTERISTICS  
4200  
3500  
2800  
2100  
1400  
700  
0.030  
0.025  
V
= 0V, f = 1MHz  
PULSE DURATION = 80µs  
GS  
ISS  
C
C
C
= C  
GS  
+ C  
GD  
DUTY CYCLE = 0.5% MAX  
= C  
RSS  
OSS  
GD  
DS  
= C  
+ C  
GD  
0.020  
0.015  
0.010  
0.005  
0
V
= 4.5V  
GS  
C
ISS  
V
= 10V  
GS  
C
OSS  
C
RSS  
0
0
10  
20  
30  
40  
50  
0
6
12  
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
DS  
18  
24  
30  
I , DRAIN CURRENT (A)  
V
D
FIGURE 3. DRAINTO SOURCE ON RESISTANCE vs GATE  
VOLTAGE AND DRAIN CURRENT  
FIGURE 4. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE  
10  
2.0  
V
= 10V  
PULSE DURATION = 80µs  
PULSE DURATION = 80µs  
DUTY CYCLE = 0.5% MAX  
DUTY CYCLE = 0.5% MAX  
D
8
6
4
2
0
1.5  
1.0  
0.5  
0
0
9
18  
27  
36  
45  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
o
125  
150  
Q , GATE CHARGE (nC)  
T , JUNCTION TEMPERATURE ( C)  
g
J
FIGURE 5. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE  
FIGURE 6. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE ON  
RESISTANCE vs JUNCTION TEMPERATURE  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
HP4410DY Rev. B  
123456

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