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HP4410DYT

更新时间： 2024-01-05 14:52:43

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英特矽尔 - INTERSIL		晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	86K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| ARRAY \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| SO

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HP4410DYT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SO-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.21
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.0135 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A
认证状态：	COMMERCIAL	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

HP4410DYT 数据手册

HP4410DY

Data Sheet

August 1999

File Number 4468.4

10A, 30V, 0.0135 Ohm, Single N-Channel,

Logic Level Power MOSFET

Features

• Logic Level Gate Drive

• 10A, 30V

This power MOSFET is manufactured using an innovative

process. This advanced process technology achieves the

lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in

outstanding performance. This device is capable of

withstanding high energy in the avalanche mode and the

diode exhibits very low reverse recovery time and stored

charge. It was designed for use in applications where power

efﬁciency is important, such as switching regulators,

switching converters, motor drivers, relay drivers, low-

voltage bus switches, and power management in portable

and battery-operated products.

• r

= 0.0135Ω at I = 10A, V

= 10V

= 4.5V

DS(ON)

• r

= 0.020Ω at I = 8A, V

DS(ON)

• Related Literature

- TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

Symbol

SOURCE(1)

SOURCE(2)

DRAIN(8)

DRAIN(7)

Ordering Information

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

P4410DY

HP4410DY

SO-8

NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the sufﬁx T

to obtain the variant in tape and reel, e.g., HP4410DYT.

SOURCE(3)

GATE(4)

DRAIN(6)

DRAIN(5)

Packaging

SO-8

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.

8-3

12 3 4 5

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