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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP42,.6 |
| 针数： | 42 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.61 | 最长访问时间： | 250 ns |
| 备用内存宽度： | 16 | JESD-30 代码： | R-PDIP-T42 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 52.8 mm |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | MASK ROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 42 | 字数： | 2097152 words |
| 字数代码： | 2000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 2MX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP42,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3.5/5.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 最大待机电流： | 0.00003 A |
| 子类别： | MASK ROMs | 最大压摆率： | 0.065 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 15.24 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HN624116P-30L | ETC |
获取价格 |
x8 or x16 ROM (Mask Programmable) |
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| HN62412FP | RENESAS |
获取价格 |
256KX8 MASK PROM, 200ns, PQFP44, PLASTIC, QFP-44 |
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| HN62412FP-20 | ETC |
获取价格 |
x8 or x16 ROM (Mask Programmable) |
|
| HN62412P | RENESAS |
获取价格 |
256KX8 MASK PROM, 200ns, PDIP40, PLASTIC, DIP-40 |
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| HN62412P-20 | ETC |
获取价格 |
x8 or x16 ROM (Mask Programmable) |
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| HN62414F-15 | RENESAS |
获取价格 |
512KX8 MASK PROM, 150ns, PDSO48, PLASTIC, SOP-48 |
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| HN62414F-17 | ETC |
获取价格 |
x8 or x16 ROM (Mask Programmable) |
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| HN62414F-20 | RENESAS |
获取价格 |
512KX8 MASK PROM, 200ns, PDSO48, PLASTIC, SOP-48 |
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| HN62414F-20 | HITACHI |
获取价格 |
MASK ROM, 512KX8, 200ns, CMOS, PDSO48, PLASTIC, SOP-48 |
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| HN62414FA-15 | RENESAS |
获取价格 |
512KX8 MASK PROM, 150ns, PDSO40, PLASTIC, SOP-40 |
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