HN1C03F-A

更新时间： 2024-11-12 13:08:23

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东芝 - TOSHIBA		晶体开关小信号双极晶体管光电二极管 PC
页数	文件大小	规格书
5页	307K
描述
TRANSISTOR 300 mA, 20 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3N1A, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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HN1C03F-A 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.4	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.3 A	基于收集器的最大容量：	7 pF
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	VCEsat-Max：	0.1 V
Base Number Matches：	1

HN1C03F-A 数据手册

HN1C03F

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

HN1C03F

For Muting And Switching Applications

Unit in mm

z Including two devices in SM6 (Super mini type with 6 leads)

z High emitter-base voltage: V_EBO= 25V (min)

z High reverse h_FE: reverse h_FE= 150 (typ.)(V_CE=−2V, I_C=−4mA)

z Low on resistance: R_ON= 1Ω (typ.)(IB = 5mA)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

(Q1, Q2 Common)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CBO

CEO

EBO

300

°C

―

JEDEC

Base current

EIAJ

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

P *

300

TOSHIBA

Weight: 0.015g

2-3N1A

150

−55~150

stg

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Total rating

2007-11-01

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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HN1C03FATE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 300 mA, 20 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose
HN1C03FB	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 300MA I(C) \| TSOP
HN1C03FBTE85N	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 300 mA, 20 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose
HN1C03FBTE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 300 mA, 20 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose
HN1C03FTE85L	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 300 mA, 20 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose
HN1C03FTE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 300 mA, 20 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose
HN1C03FU	TOSHIBA	获取价格	NPN EPITAXIAL TYPE (FOR MUTING AND SWITCHING APPLICATIONS)
HN1C03FUA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 300MA I(C) \| TSOP
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