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HMU-65687-5+

更新时间: 2024-09-24 20:22:31
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 736K
描述
Standard SRAM, 64KX1, 45ns, CMOS, PDSO24,

HMU-65687-5+ 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.76
Is Samacsys:N最长访问时间:45 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDSO-J24
JESD-609代码:e0内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
端子数量:24字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ24,.34封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V最大待机电流:0.000001 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.05 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HMU-65687-5+ 数据手册

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