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HMS25632Z8G-17

更新时间： 2022-04-23 23:00:11

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HANBIT		静态存储器
页数	文件大小	规格书
9页	248K
描述
SRAM MODULE 1Mbyte (256K x 32-Bit)

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HMS25632Z8G-17 数据手册

HANBit

HMS25632M8G/Z8

CAPACITANCE

DESCRIPTION

TEST CONDITIONS

V_I/O=0V

SYMBOL

C_I/O

MAX

UNIT

Input /Output Capacitance

Input Capacitance

V_IN=0V

C_IN

: Capacitance is sampled and not 100% tested

* NOTE

AC CHARACTERISTICS ^{(0 C}

TEST CONDITIONS

PARAMETER

70 C ; Vcc = 5V 0.5V, unless otherwise specified)

≤

VALUE

0 to 3V

3ns

Input Pulse Level

Input Rise and Fall Time

Input and Output Timing Reference Levels

Output Load

1.5V

See below

Output

Load

Output Load (B)

for t_HZ, t_LZ, t_WHZ, t_OW, t_OLZ& t_OHZ

+5V

480

Ω

480

Ω

D_OUT

255

Ω

30pF*

255

Ω

5pF*

READ CYCLE

-12

-15

-20

PARAMETER

Read Cycle Time

SYMBOL

UNIT

MIN

MAX

MIN

MAX

MIN

MAX

t_RC

t_AA

t_CO

t_OE

Address Access Time

Chip Select to Output

Output Enable to Output

Output Enable to Low-Z Output

Chip Enable to Low-Z Output

Output Disable to High-Z Output

Chip Disable to High-Z Output

Output Hold from Address Change

t_OLZ

t_LZ

t_OHZ

t_HZ

t_OH

HANBit Electronics Co.,Ltd.

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