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HMC902LP3E

更新时间： 2024-11-09 10:54:03

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		射频和微波射频放大器微波放大器 PC
页数	文件大小	规格书
8页	688K
描述
GaAs pHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 5 - 10 GHz

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HMC902LP3E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	LCC16,.12SQ,20
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.45	Is Samacsys：	N
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	17 dB	最大输入功率 (CW)：	10 dBm
JESD-609代码：	e3	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	16
最大工作频率：	10000 MHz	最小工作频率：	5000 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	LCC16,.12SQ,20
电源：	3.5 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	最大压摆率：	110 mA
表面贴装：	YES	技术：	GAAS
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

HMC902LP3E 数据手册

HMC902LP3E

v01.0310

GaAs pHEMT MMIC LOW NOISE

AMPLIFIER, 5 - 10 GHz

Typical Applications

Thꢂꢃ HmC902lp3e ꢂꢃ ꢂdꢄaꢈ ꢉꢀꢅ:

Features

lꢀꢁ Nꢀꢂꢃꢄ fꢂguꢅꢄ: 1.8 dB

• pꢀꢂnt-tꢀ-pꢀꢂnt radꢂꢀꢃ

• pꢀꢂnt-tꢀ-muꢈtꢂ-pꢀꢂnt radꢂꢀꢃ

• mꢂꢈꢂtaꢅy & sꢆacꢄ

Hꢂgh Gaꢂn: 19 dB

Hꢂgh p1dB outꢆut pꢀꢁꢄꢅ: 16 dBꢇ

sꢂngꢈꢄ suꢆꢆꢈy: +3.5 V @ 80 ꢇA

outꢆut ip3: +28 dBꢇ

• Tꢄꢃt inꢃtꢅuꢇꢄntatꢂꢀn

50 ohꢇ ꢇatchꢄd inꢆut/outꢆut

16 lꢄad 3x3ꢇꢇ smT packagꢄ: 9ꢇꢇ²

General Description

Functional Diagram

Thꢄ HmC902lp3e ꢂꢃ a GaAꢃ mmiC lꢀꢁ Nꢀꢂꢃꢄ

Aꢇꢆꢈꢂﬁꢄꢅ hꢀuꢃꢄd ꢂn a ꢈꢄadꢈꢄꢃꢃ 3x3 ꢇꢇ ꢆꢈaꢃtꢂc ꢃuꢅ-

ꢉacꢄ ꢇꢀunt ꢆackagꢄ. Thꢄ aꢇꢆꢈꢂﬁꢄꢅ ꢀꢆꢄꢅatꢄꢃ bꢄtꢁꢄꢄn

5 and 10 GHz, ꢆꢅꢀvꢂdꢂng 19 dB ꢀꢉ ꢃꢇaꢈꢈ ꢃꢂgnaꢈ

gaꢂn, 1.8 dB nꢀꢂꢃꢄ ﬁguꢅꢄ, and ꢀutꢆut ip3 ꢀꢉ +28 dBꢇ,

ꢁhꢂꢈꢄ ꢅꢄquꢂꢅꢂng ꢀnꢈy 80 ꢇA ꢉꢅꢀꢇ a +3.5V ꢃuꢆꢆꢈy. Thꢄ

p1dB ꢀutꢆut ꢆꢀꢁꢄꢅ ꢀꢉ +16 dBꢇ ꢄnabꢈꢄꢃ thꢄ lNA tꢀ

ꢉunctꢂꢀn aꢃ a lo dꢅꢂvꢄꢅ ꢉꢀꢅ baꢈancꢄd, i/Q ꢀꢅ ꢂꢇagꢄ

ꢅꢄjꢄct ꢇꢂxꢄꢅꢃ. Thꢄ HmC902lp3e aꢈꢃꢀ ꢉꢄatuꢅꢄꢃ

i/oꢃ that aꢅꢄ DC bꢈꢀckꢄd and ꢂntꢄꢅnaꢈꢈy ꢇatchꢄd tꢀ

50 ohꢇꢃ, ꢇakꢂng ꢂt ꢂdꢄaꢈ ꢉꢀꢅ hꢂgh caꢆacꢂty ꢇꢂcꢅꢀꢁavꢄ

ꢅadꢂꢀꢃ and C-Band VsAT aꢆꢆꢈꢂcatꢂꢀnꢃ.

Electrical Speciﬁcations, T_A= +25° C, Vdd1 = Vdd2 = +3.5V, Idd = 80 mA ^[2]

paꢅaꢇꢄtꢄꢅ

mꢂn.

Tyꢆ.

5 - 10

19.5

0.01

1.8

max.

2.2

Unꢂtꢃ

GHz

fꢅꢄquꢄncy rangꢄ

Gaꢂn ^[1]

Gaꢂn Vaꢅꢂatꢂꢀn ꢀvꢄꢅ Tꢄꢇꢆꢄꢅatuꢅꢄ

Nꢀꢂꢃꢄ fꢂguꢅꢄ ^[1]

dB / °C

inꢆut rꢄtuꢅn lꢀꢃꢃ

outꢆut rꢄtuꢅn lꢀꢃꢃ

outꢆut pꢀꢁꢄꢅ ꢉꢀꢅ 1 dB Cꢀꢇꢆꢅꢄꢃꢃꢂꢀn ^[1]

satuꢅatꢄd outꢆut pꢀꢁꢄꢅ (pꢃat) ^[1]

outꢆut Thꢂꢅd oꢅdꢄꢅ intꢄꢅcꢄꢆt (ip3)

dBꢇ

17.5

suꢆꢆꢈy Cuꢅꢅꢄnt (idd)

(Vdd = 3.5V, ꢃꢄt Vgg2 = 0V, Vgg1 = 0V Tyꢆ.)

110

ꢇA

[1] Bꢀaꢅd ꢈꢀꢃꢃ ꢅꢄꢇꢀvꢄd ꢉꢅꢀꢇ gaꢂn, ꢆꢀꢁꢄꢅ and nꢀꢂꢃꢄ ﬁguꢅꢄ ꢇꢄaꢃuꢅꢄꢇꢄnt.

[2] Vgg1 = Vgg2 = ꢀꢆꢄn ꢉꢀꢅ nꢀꢅꢇaꢈ, ꢃꢄꢈꢉ-bꢂaꢃꢄd ꢀꢆꢄꢅatꢂꢀn.

For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824

Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373 Order On-line at www.hittite.com

Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com

7 - 1

12 3 4 5 6 7 8

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HMC902LP3E 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
HMC902LP3ETR	HITTITE	完全替代	Wide Band Low Power Amplifier, 5000MHz Min, 10000MHz Max, 1 Func, GAAS, 3 X 3 MM, ROHS COM

与HMC902LP3E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HMC902LP3ETR	ADI	获取价格	HMC902LP3ETR
HMC902LP3ETR	HITTITE	获取价格	Wide Band Low Power Amplifier, 5000MHz Min, 10000MHz Max, 1 Func, GAAS, 3 X 3 MM, ROHS COM
HMC902-SX	ADI	获取价格	HMC902-SX
HMC903	HITTITE	获取价格	GaAs pHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 6 - 18 GHz
HMC903-Die	ADI	获取价格	低噪声放大器，采用SMT封装，6 - 18 GHz
HMC903LP3E	HITTITE	获取价格	GaAs pHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 6 - 17 GHz
HMC903LP3E	ADI	获取价格	GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，6 GHz至17 GHz
HMC904	ADI	获取价格	GaAs MMIC I/Q下变频器，17 - 24 GHz
HMC904LC5	HITTITE	获取价格	GaAs MMIC I/Q DOWNCONVERTER 17 - 24 GHz
HMC904LC5TR	HITTITE	获取价格	Down Converter

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