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HMC672LC3CRTR

更新时间： 2024-01-24 18:36:35

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		栅极逻辑集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	278K
描述
Gate,

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技术参数
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HMC672LC3CRTR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.78
JESD-30 代码：	S-XQCC-N16	端子数量：	16
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	CERAMIC	封装代码：	QCCN
封装等效代码：	LCC16,.12SQ,20	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER	包装方法：	TAPE AND REEL
电源：	-3.3 V	认证状态：	Not Qualified
施密特触发器：	NO	子类别：	Gates
表面贴装：	YES	技术：	BICMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	QUAD
Base Number Matches：	1

HMC672LC3CRTR 数据手册

HMC672LC3C

v03.1010

14 Gbps, AND / NAND / OR / NOR Gate

Absolute Maximum Ratings

Power Supply Voltage (Vee)

-3.75 V to +0.5 V

-2 V to +0.5 V

-1.5 V to +1 V

ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE

OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS

Input Signals

Output Signals

Continuous Pdiss (T = 85 °C)

(derate 17 mW/°C above 85 °C)

0.68 W

Thermal Resistance (R_{th j-p}) Worst

case junction to package paddle

59 °C/W

Maximum Junction Temperature

Storage Temperature

125 °C

-65 °C to +150 °C

-40 °C to +85 °C

Class 1A

Operating Temperature

ESD Sensitivity (HBM)

Outline Drawing

NOTES:

1. PACKAGE BODY MATERIAL: ALUMINA

2. LEAD AND GROUND PADDLE PLATING:

30-80 MICROINCHES GOLD OVER 50 MICROINCHES MINIMUM NICKEL.

3. DIMENSIONS ARE IN INCHES [MILLIMETERS].

4. LEAD SPACING TOLERANCE IS NON-CUMULATIVE.

5. PACKAGE WARP SHALL NOT EXCEED 0.05 mm DATUM -C-

6. ALL GROUND LEADS MUST BE SOLDERED TO PCB RF GROUND.

7. PADDLE MUST BE SOLDERED TO Vee.

For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824

Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373 Order On-line at www.hittite.com

Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com

3 - 5

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