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HMC566

更新时间: 2024-02-19 19:40:06
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HITTITE 射频和微波射频放大器微波放大器
页数 文件大小 规格书
6页 317K
描述
GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 29 - 36 GHz

HMC566 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:DIE OR CHIP
针数:0Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A001.B.2.DHTS代码:8542.31.00.01
风险等级:1.31其他特性:LOW NOISE
特性阻抗:50 Ω构造:COMPONENT
增益:19 dB最大输入功率 (CW):5 dBm
JESD-609代码:e4功能数量:1
最大工作频率:36000 MHz最小工作频率:29000 MHz
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-55 °C
封装等效代码:DIE OR CHIP电源:3 V
射频/微波设备类型:WIDE BAND LOW POWER子类别:RF/Microwave Amplifiers
技术:GAAS端子面层:Gold (Au)
Base Number Matches:1

HMC566 数据手册

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HMC566  
v00.0306  
GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE  
AMPLIFIER, 29 - 36 GHz  
1
Pad Descriptions  
Pad Number  
Function  
Description  
Interface Schematic  
This pad is AC coupled and matched to  
50 Ohms from 29 - 36 GHz.  
1
IN  
Power Supply Voltage for the amplifier. External bypass  
capacitors of 100 pF and 0.1 μF are required.  
2, 3, 4, 5  
Vdd1, 2, 3, 4  
This pad is AC coupled and matched to  
50 Ohms from 29 - 36 GHz.  
6
OUT  
GND  
Die Bottom  
Die Bottom must be connected to RF/DC ground.  
Assembly Diagram  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order On-line at www.hittite.com  
1 - 220  

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