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HMC566

更新时间: 2024-02-28 17:16:59
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HITTITE 射频和微波射频放大器微波放大器
页数 文件大小 规格书
6页 317K
描述
GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 29 - 36 GHz

HMC566 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:DIE OR CHIP
针数:0Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A001.B.2.DHTS代码:8542.31.00.01
风险等级:1.31其他特性:LOW NOISE
特性阻抗:50 Ω构造:COMPONENT
增益:19 dB最大输入功率 (CW):5 dBm
JESD-609代码:e4功能数量:1
最大工作频率:36000 MHz最小工作频率:29000 MHz
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-55 °C
封装等效代码:DIE OR CHIP电源:3 V
射频/微波设备类型:WIDE BAND LOW POWER子类别:RF/Microwave Amplifiers
技术:GAAS端子面层:Gold (Au)
Base Number Matches:1

HMC566 数据手册

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HMC566  
v00.0306  
GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE  
AMPLIFIER, 29 - 36 GHz  
1
P1dB vs. Temperature  
Psat vs. Temperature  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
6
6
+25C  
+85C  
-55C  
+25C  
+85C  
4
4
2
0
-55C  
2
0
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38  
FREQUENCY (GHz)  
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38  
FREQUENCY (GHz)  
Output IP3 vs. Temperature  
Power Compression @ 32 GHz  
30  
28  
26  
24  
22  
20  
18  
22  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
Pout  
Gain  
PAE  
16  
14  
12  
10  
+25C  
+85C  
-55C  
6
4
2
0
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38  
FREQUENCY (GHz)  
-20 -18 -16 -14 -12 -10  
-8  
-6  
-4  
-2  
0
FREQUENCY (GHz)  
Gain, Noise Figure & Power vs.  
Supply Voltage @ 32 GHz  
10  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
24  
22  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
Gain  
P1dB  
6
Noise Figure  
4
2.5  
3
3.5  
Vdd (Vdc)  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order On-line at www.hittite.com  
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