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HMC425LP3TR

更新时间： 2024-01-13 05:56:46

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		射频和微波射频衰减器微波衰减器
页数	文件大小	规格书
6页	202K
描述
Variable Attenuator, 2200MHz Min, 8000MHz Max, 4.3dB Insertion Loss-Max, GAAS, 3 X 3 MM, LEADLESS, PLASTIC, SMT, 16 PIN

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HMC425LP3TR 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	3 X 3 MM, LEADLESS, PLASTIC, SMT, 16 PIN
针数：	16	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.23	标称衰减：	31.5 dB
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
最大输入功率 (CW)：	30 dBm	最大插入损耗：	4.3 dB
JESD-609代码：	e0	安装特点：	SURFACE MOUNT
端子数量：	16	最大工作频率：	8000 MHz
最小工作频率：	2200 MHz	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	LCC16,.12SQ,20	电源：	5 V
射频/微波设备类型：	VARIABLE ATTENUATOR	子类别：	RF/Microwave Attenuators
表面贴装：	YES	技术：	GAAS
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)

HMC425LP3TR 数据手册

HMC425LP3

v00.0202

MICROWAVE CORPORATION

0.5 dB LSB GaAs MMIC 6-BIT DIGITAL

POSITIVE CONTROL ATTENUATOR, 2.4 - 8.0 GHz

Worst Case Step Error

Between Successive Attenuation States

Bias Voltage & Current

1.5

Vdd Range = 3.0 to +5.0 Vdc

Vdd

Idd (Typ.)

(VDC)

(µA)

0.5

+3.0

+5.0

-0.5

Control Voltage

-1

-1.5

State

Bias Condition

0 to 0.2V @ 10 uA Typ.

Vdd ± 0.2V @ 5 uA Typ.

-2

Low

High

FREQUENCY (GHz)

Note: Vdd = +3V to +5V

Truth Table

Control Voltage Input

Attenuation

State

RF1 - RF2

1 dB

0.5 dB

16 dB

8 dB

4 dB

2 dB

Reference

I.L.

High

Low

High

Low

High

Low

High

Low

High

Low

High

Low

High

Low

High

Low

High

Low

High

Low

0.5 dB

1 dB

2 dB

4 dB

8 dB

16 dB

31.5 dB

Any combination of the above states will provide an attenuation

approximately equal to the sum of the bits selected.

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

12 Elizabeth Drive, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order Online at www.hittite.com

9 - 94

1 234 5 6

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