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HMC407MS8GE

更新时间： 2024-01-05 05:41:08

品牌	Logo	应用领域
亚德诺 - ADI		射频微波
页数	文件大小	规格书
7页	355K
描述
GaAs InGaP HBT MMIC Power Amplifier, 5 - 7 GHz

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HMC407MS8GE 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	TSSOP8,.19
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.31.00.01
风险等级：	1.18	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	10 dB
最大输入功率 (CW)：	20 dBm	JESD-609代码：	e3
安装特点：	SURFACE MOUNT	功能数量：	1
端子数量：	8	最大工作频率：	7000 MHz
最小工作频率：	5000 MHz	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	TSSOP8,.19	电源：	5 V
射频/微波设备类型：	WIDE BAND MEDIUM POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
表面贴装：	YES	技术：	BIPOLAR
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

HMC407MS8GE 数据手册

HMC407MS8G / 407MS8GE

v03.1006

GaAs InGaP HBT MMIC

POWER AMPLIFIER, 5 - 7 GHz

Gain, Power & Quiescent

Supply Current vs. Vpd @ 5.8 GHz

Absolute Maximum Ratings

250

200

150

100

Collector Bias Voltage (Vcc1, Vcc2)

+5.5 Vdc

+20 dBm

150 °C

Control Voltage (Vpd)

RF Input Power (RFIN)(Vs = Vpd = +5Vdc)

Junction Temperature

P1dB

Psat

Gain

Continuous Pdiss (T = 85 °C)

(derate 31 mW/°C above 85 °C)

2 W

Icq

Thermal Resistance

(junction to ground paddle)

32 °C/W

Storage Temperature

Operating Temperature

-65 to +150 °C

-40 to +85 °C

2.5

3.5

4.5

Vpd (Vdc)

ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE

OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS

Outline Drawing

NOTES:

1. LEADFRAME MATERIAL: COPPER ALLOY

2. DIMENSIONS ARE IN INCHES [MILLIMETERS]

3. DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLDFLASH OF 0.15mm PER SIDE.

4. DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLDFLASH OF 0.25mm PER SIDE.

5. ALL GROUND LEADS AND GROUND PADDLE MUST BE SOLDERED TO

PCB RF GROUND.

Package Information

Part Number

Package Body Material

Lead Finish

MSL Rating

MSL1 ^[1]

Package Marking ^[3]

H407

XXXX

HMC407MS8G

HMC407MS8GE

Low Stress Injection Molded Plastic

Sn/Pb Solder

H407

XXXX

MSL1 ^[2]

RoHS-compliant Low Stress Injection Molded Plastic

100% matte Sn

[1] Max peak reﬂow temperature of 235 °C

[2] Max peak reﬂow temperature of 260 °C

[3] 4-Digit lot number XXXX

Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no

For price, delivery, and to place orders: Analog Devices, Inc.,

_{responsibility is ass}F_umo_er_{d b}p_yr_Ai_nc_ae_log, _Dd_ee_vicl_eiv_se_forr_iy_ts,_ua_sen_{, n}d_ort_foo_{r a}p_nyla_infc_rine_geo_mer_nd_tse_or_fs_pa,_tep_ntl_se_oa_{r o}s_the_ercontact Hittite Microwave Corporation:

One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106

rights of third parties that may result from its use. Specifications subject to change without notice. No

20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Phone: 781-329-4700 • Order online at www.analog.com

Application Support: Phone: 1-800-ANALOG-D

license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices.

Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners.

11 - 31

Order On-line at www.hittite.com

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与HMC407MS8GE相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HMC407MS8GETR	HITTITE	Wide Band Medium Power Amplifier, 5000MHz Min, 7000MHz Max, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMT,	获取价格
HMC407MS8GTR	ADI	GaAs InGaP HBT MMIC Power Amplifier, 5 - 7 GHz	获取价格
HMC408	ADI	1 W功率放大器SMT，5.1 - 5.9 GHz	获取价格
HMC408LP3	HITTITE	GaAs InGaP HBT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 5.1 - 5.9 GHz	获取价格
HMC408LP3_06	HITTITE	GaAs InGaP HBT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 5.1 - 5.9 GHz	获取价格
HMC408LP3_09	HITTITE	GaAs InGaP HBT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 5.1 - 5.9 GHz	获取价格

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