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HMC407MS8GE

更新时间： 2024-01-11 20:45:44

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亚德诺 - ADI		射频微波
页数	文件大小	规格书
7页	355K
描述
GaAs InGaP HBT MMIC Power Amplifier, 5 - 7 GHz

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HMC407MS8GE 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	TSSOP8,.19
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.31.00.01
风险等级：	1.18	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	10 dB
最大输入功率 (CW)：	20 dBm	JESD-609代码：	e3
安装特点：	SURFACE MOUNT	功能数量：	1
端子数量：	8	最大工作频率：	7000 MHz
最小工作频率：	5000 MHz	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	TSSOP8,.19	电源：	5 V
射频/微波设备类型：	WIDE BAND MEDIUM POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
表面贴装：	YES	技术：	BIPOLAR
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

HMC407MS8GE 数据手册

HMC407MS8G / 407MS8GE

v03.1006

GaAs InGaP HBT MMIC

POWER AMPLIFIER, 5 - 7 GHz

Broadband Gain & Return Loss

Gain vs. Temperature

S21

S11

S22

-5

+25 C

+85 C

-40 C

-10

-15

-20

-25

4.5

5.5

6.5

7.5

FREQUENCY (GHz)

Input Return Loss vs. Temperature

Output Return Loss vs. Temperature

+25 C

+85 C

-40 C

-5

-10

-15

-20

-25

+25 C

+85 C

-40 C

-5

-10

-15

-20

4.5

5.5

6.5

7.5

4.5

5.5

6.5

7.5

FREQUENCY (GHz)

P1dB vs. Temperature

Psat vs. Temperature

+25 C

+85 C

-40 C

+25 C

+85 C

-40 C

4.5

5.5

6.5

7.5

4.5

5.5

6.5

7.5

FREQUENCY (GHz)

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_{responsibility is ass}F_umo_er_{d b}p_yr_Ai_nc_ae_log, _Dd_ee_vicl_eiv_se_forr_iy_ts,_ua_sen_{, n}d_ort_foo_{r a}p_nyla_infc_rine_geo_mer_nd_tse_or_fs_pa,_tep_ntl_se_oa_{r o}s_the_ercontact Hittite Microwave Corporation:

One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106

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Phone: 781-329-4700 • Order online at www.analog.com

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11 - 29

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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