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HM6AQB9404BPL60

更新时间： 2024-12-01 15:34:11

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
26页	275K
描述
4MX9 QDR SRAM, 0.5ns, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-165

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HM6AQB9404BPL60 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	BGA
包装说明：	15 X 17 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-165	针数：	165
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.87
最长访问时间：	0.5 ns	JESD-30 代码：	R-PBGA-B165
JESD-609代码：	e0	长度：	17 mm
内存密度：	37748736 bit	内存集成电路类型：	QDR SRAM
内存宽度：	9	功能数量：	1
端子数量：	165	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX9	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.46 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15 mm	Base Number Matches：	1

HM6AQB9404BPL60 数据手册

HM66AQB36104/HM66AQB18204

HM66AQB9404

36-Mbit QDR^TMII SRAM

4-word Burst

REJ03C0048-0100

Rev.1.00

Aug.23.2006

Description

The HM66AQB36104 is a 1,048,576-word by 36-bit, the HM66AQB18204 is a 2,097,152-word by 18-bit, and the

HM66AQB9404 is a 4,194,304-word by 9-bit synchronous quad data rate static RAM fabricated with advanced CMOS

technology using full CMOS six-transistor memory cell. It integrates unique synchronous peripheral circuitry and a

burst counter. All input registers controlled by an input clock pair (K and K) and are latched on the positive edge of K

and K. These products are suitable for applications which require synchronous operation, high speed, low voltage, high

density and wide bit configuration. These products are packaged in 165-pin plastic FBGA package.

Features

•

1.8 V ± 0.1 V power supply for core (V_DD

1.4 V to V_DDpower supply for I/O (V_DDQ

DLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling

Separate independent read and write data ports with concurrent transactions

100% bus utilization DDR read and write operation

)

Four-tick burst for reduced address frequency

Two input clocks (K and K) for precise DDR timing at clock rising edges only

Two output clocks (C and C) for precise flight time and clock skew matching-clock and data delivered together to

receiving device

•

Internally self-timed write control

Clock-stop capability with µs restart

User programmable impedance output

Fast clock cycle time: 3.0 ns (333 MHz)/3.3 ns (300 MHz)/4.0 ns (250 MHz)/5.0 ns (200 MHz)/6.0 ns (167 MHz)

Simple control logic for easy depth expansion

JTAG boundary scan

Note: QDR RAMs and Quad Data Rate RAMs comprise a new family of products developed by Cypress

Semiconductor, IDT, NEC, Samsung, and Renesas Technology Corp.

Rev.1.00 Aug 23, 2006 page 1 of 20

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HM6F5201	HYNIX	获取价格	Dual Fractional-N / Integer-N Frequency Synthesizer
HM6F5201(20TSSOP)	HYNIX	获取价格	PLL/Frequency Synthesis Circuit, CMOS, PDSO20
HM6F5201(24LGA)	HYNIX	获取价格	PLL/Frequency Synthesis Circuit, CMOS, PQCC24
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