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HM628128P-8

更新时间: 2024-11-23 20:23:03
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 339K
描述
128KX8 STANDARD SRAM, 85ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

HM628128P-8 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.51
Is Samacsys:N最长访问时间:85 ns
其他特性:BATTERY BACKUP OPERATIONJESD-30 代码:R-PDIP-T32
长度:41.9 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

HM628128P-8 数据手册

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