5秒后页面跳转
HM628128R-12 PDF预览

HM628128R-12

更新时间: 2024-11-20 20:23:03
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 339K
描述
128KX8 STANDARD SRAM, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, REVERSE, TSOP-32

HM628128R-12 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:TSOP1-R,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.64
最长访问时间:120 ns其他特性:BATTERY BACKUP OPERATION
JESD-30 代码:R-PDSO-G32长度:18.4 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1-R封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL宽度:8 mm
Base Number Matches:1

HM628128R-12 数据手册

 浏览型号HM628128R-12的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HM628128R-12的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HM628128R-12的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HM628128R-12的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HM628128R-12的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HM628128R-12的Datasheet PDF文件第7页 

与HM628128R-12相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HM628128R-7 HITACHI

获取价格

131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM
HM628128R-7 RENESAS

获取价格

128KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO32, 8 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, REVERSE, TSOP-32
HM628128R-8 HITACHI

获取价格

131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM
HM628128R-8 RENESAS

获取价格

128KX8 STANDARD SRAM, 85ns, PDSO32, 8 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, REVERSE, TSOP-32
HM628128T-10 HITACHI

获取价格

131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM
HM628128T-10 RENESAS

获取价格

128KX8 STANDARD SRAM, 100ns, PDSO32, 8 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP-32
HM628128T-12 HITACHI

获取价格

131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM
HM628128T-12 RENESAS

获取价格

128KX8 STANDARD SRAM, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP-32
HM628128T-7 HITACHI

获取价格

131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM
HM628128T-8 HITACHI

获取价格

131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM