Datasheet > 存储 > DRAM> HM5164165FTT-6

HM5164165FTT-6

更新时间： 2024-01-09 23:37:36

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		存储动态存储器
页数	文件大小	规格书
37页	499K
描述
64M EDO DRAM (4-Mword x 16-bit) 8k refresh/4k refresh

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HM5164165FTT-6 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP50,.46,32
针数：	50	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.18	访问模式：	EDO PAGE
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G50
JESD-609代码：	e0	长度：	20.95 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	50
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP50,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.0005 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

HM5164165FTT-6 数据手册

HM5164165F Series

HM5165165F Series

64M EDO DRAM (4-Mword × 16-bit)

8k refresh/4k refresh

ADE-203-1058B(Z)

Rev. 2.0

Nov. 30, 1999

Description

The Hitachi HM5164165F Series, HM5165165F Series are 64M-bit dynamic RAMs organized as 4,194,304-

word × 16-bit. They have realized high performance and low power by employing CMOS process technology.

HM5164165F Series, HM5165165F Series offer Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed

access mode. They have the package variations of standard 50-pin plastic SOJ and standerd 50-pin plastic

TSOPII

Features

•

Single 3.3 V supply: 3.3 V ± 0.3 V

Access time: 50 ns/60 ns (max)

Power dissipation

Active: 432 mW/396 mW (max) (HM5164165F Series)

: 504 mW/432 mW (max) (HM5165165F Series)

Standby : 1.8 mW (max) (CMOS interface)

: 1.1 mW (max) (L-version)

•

EDO page mode capability

Refresh cycles

RAS-only refresh

8192 cycles /64 ms (HM5164165F, HM5164165FL)

4096 cycles /64 ms (HM5165165F, HM5165165FL)

CBR/Hidden refresh

4096 cycles /64 ms (HM5164165F, HM5164165FL, HM5165165F, HM5165165FL)

12 3 4 5 6 7...37

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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HM5164165J-6	ETC	获取价格	x16 EDO Page Mode DRAM
HM5164165LJ-5	ETC	获取价格	x16 EDO Page Mode DRAM
HM5164165LJ-6	ETC	获取价格	x16 EDO Page Mode DRAM
HM5164165LTT-5	ETC	获取价格	x16 EDO Page Mode DRAM
HM5164165LTT-6	ETC	获取价格	x16 EDO Page Mode DRAM
HM5164165TT-5	ETC	获取价格	x16 EDO Page Mode DRAM
HM5164165TT-6	ETC	获取价格	x16 EDO Page Mode DRAM
HM5164400AJ-5	HITACHI	获取价格	Fast Page DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
HM5164400AJ-6	HITACHI	获取价格	Fast Page DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

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