HM4033-TP

更新时间： 2024-09-21 13:00:59

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美微科 - MCC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	215K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PACKAGE-3

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HM4033-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.78
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

HM4033-TP 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

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Micro Commercial Components

HM4033

Features

High current for general purpose amplifier application

PNP Plastic

Encapsulate

Transistor

SOT-89 package for surface mount application

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

ꢀ

Mechanical Data

SOT-89

Marking:H4033

Maximum Ratings@ Ta=25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Rating

Unit

-80

-5

-1

0.5

^OC

T_J

T_STG

-55 to +150

Electrical Characteristics @ Ta=25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

I_CBO

Parameter

Collector Cutoff Current

(V_CB=-60Vdc,I_E=0)

Min

Typ

Max

-100

Units

I_EBO

Emitter Cutoff Current

(V_EB=-5.0Vdc, I_C=0)

-100

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

Collector-Base Breakdown Voltage

-80

-5

(Ic=-10uA, I_E=0)

ꢀ

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(Ic=-10mA, I_B=0)

ꢀ

Emitter-Base Breakdown Voltage

(IE=-10uA, I_C=0)

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hFE1

hFE2

hFE3

V_CE=-5V, I_C=-0.1mA

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ꢀ

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_CE=-5V, I_C=-100mA

_CE=-5V, I_C=-500mA

100

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1.55

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ꢉꢀ

ꢖ

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.061

ꢀ

REF.

hFE4

V_CE=-5V, I_C=-1000mA

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ꢀ

V_CE(SAT)1

V_BE(SAT)1

f_T

I_C=-150mA, I_B=-15mA

-0.15

-0.5

-0.9

-1.1

ꢀ

I_C=-500mA, I_B=-50mA

ꢀ

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I_C=-150mA, I_B=-15mA

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ꢀ

I_C=-500mA, I_B=-50mA

Transition Frequency

100

MHZ

(V_CE=-10V, I_C=50mA, f=100MHZ)

Collector Output Capacitance

(V_CB=-10V, I_E=0, f=1MHZ)

ꢀ

Cob

www.mccsemi.com

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Revision: A

2011/01/01

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