Datasheet > HM365797M-9:D

HM365797M-9:D

更新时间： 2024-12-01 20:47:39

品牌	Logo	应用领域
TEMIC		ATM 异步传输模式静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
7页	102K
描述
Standard SRAM, 256KX1, 45ns, CMOS, PDIP24,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HM365797M-9:D 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	45 ns	JESD-30 代码：	R-PDIP-T24
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	1	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	24
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX1
输出特性：	3-STATE	可输出：	NO
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

HM365797M-9:D 数据手册

HM 65797

256 K x 1 High Speed CMOS SRAM

Introduction

The HM 65797 is a high speed CMOS static RAM Easy memory expansion is provided by an active low chip

organized as 262, 144 × 1 bit. It is manufactured using select (CS) and three state drivers.

MHS high performance CMOS technology.

All inputs and outputs of the HM 65797 are TTL

Access times as fast 20ns are available with maximum compatible and operate from single 5 V supply thus

power consumption of only 770 mW.

simplifying system design.

The HM 65797 features fully static operation requiring no The HM 65797 is 100 % processed following the test

external clocks or timing strobes. The automatic methods of MIL STD 883 and/or ESA/SCC 9000 making

power-down feature reduces the power consumption by it ideally suitable for military/space applications that

67 % when the circuit is deselected.

demand superior levels of performance and reliability.

Features

D Fast access time

D Wide temperature range :

Commercial/industrial : 20/25/35/45/55 ns (max)

Military : 25/35/45/55 ns (max)

D Low power consumption

Active : 770 mW

–55°C to + 125°C

D 300 mils width package

D TTL compatible inputs and outputs asynchronous

D Capable of withstanding greater than 2000V electrostatic

discharge single 5 volt supply

Standby : 220 mW

Interface

Block Diagram

MATRA MHS

Rev. D (16 April.97)

Preliminary Information

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与HM365797M-9:D相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HM365797M-9:R	TEMIC	获取价格	SRAM,
HM365797M-9:RD	TEMIC	获取价格	SRAM,
HM3-65797M-9+	ETC	获取价格	x1 SRAM
HM365797N-2:D	TEMIC	获取价格	SRAM,
HM365797N-2:RD	TEMIC	获取价格	SRAM,
HM365797N-5	ETC	获取价格	x1 SRAM
HM365797N-5:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 256KX1, 55ns, CMOS, PDIP24,
HM365797N-5:R	TEMIC	获取价格	SRAM,
HM365797N-5:RD	TEMIC	获取价格	SRAM,
HM3-65797N-5+	ETC	获取价格	x1 SRAM