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HM365798F-9

更新时间： 2024-12-01 20:12:39

品牌	Logo	应用领域
TEMIC		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
7页	89K
描述
Standard SRAM, 64KX4, 20ns, CMOS, PDIP24,

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HM365798F-9 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
最长访问时间：	20 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDIP-T24	JESD-609代码：	e0
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	24
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX4
输出特性：	3-STATE	可输出：	NO
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP24,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.02 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.15 mA
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

HM365798F-9 数据手册

MATRA MHS

HM 65798

64 K × 4 High Speed CMOS SRAM

Introduction

The HM 65798 is a high speed CMOS static RAM Easy memory expansion is provided by an active low chip

organized as 65,536 × 4 bit. It is manufactured using MHS select (CS) and three state drivers.

high performance CMOS technology.

All inputs and outputs of the HM 65798 are TTL

Access times as fast 20 ns are available with maximum compatible and operate from single 5 V supply thus

power consumption of only 770 mW.

simplifying system design.

The HM 65798 features fully static operation requiring no The HM 65798 is 100 % processed following the test

external clocks or timing strobes. The automatic methods of MIL STD 883 and/or ESA/SCL 9000, making

power-down feature reduces the power consumption by ideally suitable for military/space applications that

71 % when the circuit is deselected.

demand superior levels of performance and reliability.

Features

D Fast access time

D Wide temperature range : –55°C to + 125°C

D 300 mils width package

Commercial/industrial : 20/25/35/45/55 ns (max)

Military : 25/35/45/55 ns (max)

D Low power consumption

Active : 770 mW

D TTL compatible inputs and outputs

D Asynchronous

D Capable of withstanding greater than 2000V electrostatic

discharge single 5 volt supply

Standby : 220 mW

Interface

Block Diagram

Rev. C (21/12/94)

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HM365798F-9:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 64KX4, 20ns, CMOS, PDIP24,
HM365798H-5	ETC	获取价格	x4 SRAM
HM365798H-5:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 64KX4, 25ns, CMOS, PDIP24,
HM3-65798H-5+	ETC	获取价格	x4 SRAM
HM365798H-9	ETC	获取价格	x4 SRAM
HM365798K-5	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, PDIP24,
HM365798K-5:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, PDIP24,
HM3-65798K-5+	ETC	获取价格	x4 SRAM
HM365798K-9	ETC	获取价格	x4 SRAM
HM365798K-9:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, PDIP24,

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