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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.81 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 25 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 8KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.00003 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.08 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HM365664AT-5 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| HM3-65664AT-5:D | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
|
| HM365664AT-9 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| HM365664AU-5 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| HM3-65664AU-5:D | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
|
| HM365664AU-9 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| HM3-65664AU-9:D | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
|
| HM3-65664B-5 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| HM3-65664B-5+ | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| HM3-65664B-9 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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