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HM165756N-9

更新时间： 2024-01-31 03:49:24

品牌	Logo	应用领域
TEMIC		静态存储器
页数	文件大小	规格书
7页	103K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, CDIP28,

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HM165756N-9 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-GDIP-T28	JESD-609代码：	e0
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.02 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.11 mA
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

HM165756N-9 数据手册

MATRA MHS

HM 65756

32 K × 8 High Speed CMOS SRAM

Introduction

The HM 65756 is a high speed CMOS static RAM Easy memory expansion is provided by an active low chip

organised as 32,768 × 8 bits. It is manufactured using select (CS) an active low output enable (OE), and three

MHS’s high performance CMOS technology.

state drivers.

Access time as fast as 15 ns are available with maximum All inputs or outputs of the HM-65756 are TTL

power consumption of only 880 mW.

compatible and operate from single 5 V supply thus

simplifying system design.

The HM 65756 features fully static operation requiring

no external clocks or timing strobes. The automatic For military application the HM 65756 is processed

power-down feature reduces the power consumption by according to the methods of the latest revision of the

80 % when the circuit is deselected.

MIL STD 883.

Features

D Fast access time

D 300 and 600 mils width package

D TTL compatible inputs and outputs

D Asynchronous

Commercial : 15/20/25/35/45 ns

Industrial : 20/25/35/45 ns

Automotive/military : 25/35/45 ns

D Low power consumption

Active : 880 mW

D Capable of withstanding greater than 2 000 V electrostatic

discharge

D Output enable

Standby : 220 mW

D Single 5 volt supply

D Wide temperature range :

D 3.3 v versions are also available. please consult sales

– 55°C to + 125°C

Interface

Block Diagram

Rev. C (11/04/95)

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HM1-65756N-9+	ETC	获取价格	x8 SRAM
HM1-65764F/883	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, CDIP28,
HM1-65764F-2	ETC	获取价格	x8 SRAM
HM1-65764F-2D	TEMIC	获取价格	8KX8 STANDARD SRAM, 20ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28
HM1-65764F-5	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, CDIP28,
HM1-65764F-5:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, CDIP28,
HM1-65764F-9	ETC	获取价格	x8 SRAM
HM1-65764F-9:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28
HM1-65764H/883	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDIP28,
HM1-65764H-2	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDIP28,

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