5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.77 |
| 最长访问时间： | 55 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 8KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
| 最大待机电流： | 0.02 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.1 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HM1-65764N-9 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| HM1-65764N-9+ | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, |
|
| HM1-65764N-A | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28 |
|
| HM1-65764N-A:D | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, |
|
| HM1-65764NDB | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, |
|
| HM165767BH-2 | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX1, 25ns, CMOS, CDIP20, 0.300 INCH, CERAMIC, PACKAGE-20 |
|
| HM165767BH-2/883:D | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX1, 25ns, CMOS, CDIP20, |
|
| HM165767BH-2:D | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX1, 25ns, CMOS, CDIP20, |
|
| HM165767BH-5 | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX1, 25ns, CMOS, CDIP20, |
|
| HM165767BH-5:D | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX1, 25ns, CMOS, CDIP20, |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
