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HM165767BN-2

更新时间： 2024-02-20 01:07:41

品牌	Logo	应用领域
TEMIC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	101K
描述
Standard SRAM, 16KX1, 55ns, CMOS, CDIP20,

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HM165767BN-2 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	20
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.74
最长访问时间：	55 ns	JESD-30 代码：	R-GDIP-T20
内存密度：	16384 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	1	功能数量：	1
端子数量：	20	字数：	16384 words
字数代码：	16000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	16KX1	封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.08 mm
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

HM165767BN-2 数据手册

MATRA MHS

HM 65767B

16 K × 1 High Speed CMOS SRAM

Introduction

The HM 65767B is a high speed CMOS static RAM All inputs and outputs of the HM 65767B are TTL

organized as 16384x1 bit. It is manufactured using MHS’s compatible and operate from single 5 V supply thus

high performance CMOS technology.

simplifying system design.

Access times as fast as 25 ns are available with maximum

power consumption of only 385 mW.

The HM 65767B is 100 % processed following the test

methods of MIL STD 883 and/or ESA/SCC 9000 making

it ideally suitable for military/space applications that

demand superior levels of performance and reliability.

The HM 65767B features fully static operation requiring

no external clocks or timing strobes. The automatic

power-down feature reduces the power consumption by

70 % when the circuit is deselected.

Easy memory expansion is provided by an active low chip

select (CS) and three state drivers.

Features

D Fast access time

D 300 mils width package

D TTL compatible inputs and outputs

D Asynchronous

Commercial : 25/35/45/55 ns (max)

Military : 25/35/45/55 ns (max)

D Low power consumption

Active : 385 mW (max)

D Capable of withstanding greater than 2000 V electrostatic

discharge

Standby : 110 mW (max)

D Wide temperature range :

– 55°C to + 125°C

D Single 5 volt supply

Interface

Block Diagram

Rev. C (15/12/94)

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HM165767BN-2/883	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 16KX1, 55ns, CMOS, CDIP20, 0.300 INCH, CERAMIC, PACKAGE-20
HM165767BN-2/883:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 16KX1, 55ns, CMOS, CDIP20,
HM165767BN-2:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 16KX1, 55ns, CMOS, CDIP20,
HM165767BN-5:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 16KX1, 55ns, CMOS, CDIP20,
HM1-65767F-5+	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 16KX1, 20ns, CMOS, CDIP20,
HM1-65767H-2	ETC	获取价格	x1 SRAM
HM1-65767H-5	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 16KX1, 25ns, CMOS, CDIP20,
HM1-65767H-8	ETC	获取价格	x1 SRAM
HM1-65767K-2	ETC	获取价格	x1 SRAM
HM1-65767K-5	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 16KX1, 30ns, CMOS, CDIP20,

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