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HM1-6514B-8

更新时间: 2024-02-06 17:47:57
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瑞萨 - RENESAS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 412K
描述
HM1-6514B-8

HM1-6514B-8 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.83
最长访问时间:220 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDIP-T18内存密度:4096 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
端子数量:18字数:1024 words
字数代码:1000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:1KX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP18,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B最大待机电流:0.000025 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.019 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HM1-6514B-8 数据手册

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