生命周期: | Obsolete | 包装说明: | DIP, DIP18,.3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.83 |
最长访问时间: | 120 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDIP-T18 | 内存密度: | 4096 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 4 |
端子数量: | 18 | 字数: | 1024 words |
字数代码: | 1000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 1KX4 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP18,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 最大待机电流: | 0.000025 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.031 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HM1-6514S-9 | INTERSIL |
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1024 x 4 CMOS RAM | |
HM1-6514S-9+ | RENESAS |
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IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC | |
HM1-6516/883 | INTERSIL |
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2K x 8 CMOS RAM | |
HM1-65161-2 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM | |
HM1-65161-5 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM | |
HM1-65161-9 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM | |
HM1-65162 | RENESAS |
获取价格 |
IC,SRAM,2KX8,CMOS,DIP,24PIN,CERAMIC | |
HM1-65162/883 | INTERSIL |
获取价格 |
2K x 8 Asynchronous CMOS Static RAM | |
HM1-65162-2 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM | |
HM1-65162-2/883 | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 85ns, CMOS, CDIP24, |