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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | DIP, DIP18,.3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.87 |
| 最长访问时间： | 120 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T18 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 4096 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 4 | 端子数量： | 18 |
| 字数： | 1024 words | 字数代码： | 1000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 1KX4 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP18,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 最大待机电流： | 0.000015 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.031 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HM1-6516/883 | INTERSIL |
获取价格 |
2K x 8 CMOS RAM |
|
| HM1-65161-2 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| HM1-65161-5 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| HM1-65161-9 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| HM1-65162 | RENESAS |
获取价格 |
IC,SRAM,2KX8,CMOS,DIP,24PIN,CERAMIC |
|
| HM1-65162/883 | INTERSIL |
获取价格 |
2K x 8 Asynchronous CMOS Static RAM |
|
| HM1-65162-2 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| HM1-65162-2/883 | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 85ns, CMOS, CDIP24, |
|
| HM1-65162-2/883:D | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 85ns, CMOS, CDIP24, |
|
| HM1-65162-2:D | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 85ns, CMOS, CDIP24, |
|
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