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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | DIP, |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.77 |
| 最长访问时间： | 120 ns | 其他特性： | ADDRESS LATCH; LOW POWER STANDBY MODE; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T18 | 内存密度： | 4096 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 18 |
| 字数： | 1024 words | 字数代码： | 1000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 1KX4 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HM1-6514S-2 | RENESAS |
获取价格 |
IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC |
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| HM1-6514S-8 | RENESAS |
获取价格 |
IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC |
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| HM1-6514S-9 | INTERSIL |
获取价格 |
1024 x 4 CMOS RAM |
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| HM1-6514S-9+ | RENESAS |
获取价格 |
IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC |
|
| HM1-6516/883 | INTERSIL |
获取价格 |
2K x 8 CMOS RAM |
|
| HM1-65161-2 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| HM1-65161-5 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| HM1-65161-9 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| HM1-65162 | RENESAS |
获取价格 |
IC,SRAM,2KX8,CMOS,DIP,24PIN,CERAMIC |
|
| HM1-65162/883 | INTERSIL |
获取价格 |
2K x 8 Asynchronous CMOS Static RAM |
|
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