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HM0-65162-9+

更新时间: 2024-11-23 19:52:27
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 626K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 85ns, CMOS,

HM0-65162-9+ 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.8最长访问时间:85 ns
I/O 类型:COMMON内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:2KX8
输出特性:3-STATE封装等效代码:DIE OR CHIP
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
最大待机电流:0.000003 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.07 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIALBase Number Matches:1

HM0-65162-9+ 数据手册

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