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HM0-65162B-2

更新时间: 2024-02-28 05:04:29
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 485K
描述
x8 SRAM

HM0-65162B-2 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.8最长访问时间:70 ns
JESD-30 代码:X-XUUC-N24内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:24字数:2048 words
字数代码:2000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:2KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIE封装形状:UNSPECIFIED
封装形式:UNCASED CHIP并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:NO LEAD端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

HM0-65162B-2 数据手册

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