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HM0-65162-9:RD

更新时间: 2024-01-05 03:11:52
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 370K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 85ns, CMOS,

HM0-65162-9:RD 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.8Is Samacsys:N
最长访问时间:85 nsJESD-30 代码:X-XUUC-N24
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:2KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIE
封装形状:UNSPECIFIED封装形式:UNCASED CHIP
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:NO LEAD端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

HM0-65162-9:RD 数据手册

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