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HL6316G PDF预览

HL6316G

更新时间： 2024-11-04 21:05:31
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 光电半导体
页数 文件大小 规格书
8页 35K
描述
LASER DIODE, LD/G2, 3 PIN

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HL6316G 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：LD/G2, 3 PIN
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.02
光电设备类型：LASER DIODEBase Number Matches：1

HL6316G 数据手册

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HL6315G/16G  
AlGaInP Laser Diodes  
ADE-208-218D (Z)  
5th Edition  
Dec. 2000  
Description  
The HL6315G/16G are 0.63 µm band AlGaInP laser diodes with a multi-quantum well (MQW) structure.  
They are suitable as light sources for laser poiters and optical equipment.  
Application  
•
Laser pointer  
Features  
•
•
•
•
•
Visible light output: 635 nm Typ (nearly equal to He-Ne gas laser)  
Optical output power: 3 mW CW  
Low operating current: 30 mA Typ  
Low operating voltage: 2.7 V Max  
TM mode oscillation  
Package Type  
• HL6315G/16G: G2  
Internal Circuit  
• HL6315G  
Internal Circuit  
• HL6316G  
1
3
1
3
PD  
LD  
PD  
LD  
2
2
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