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HL6316G

更新时间： 2024-01-11 22:03:22

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		光电半导体
页数	文件大小	规格书
8页	35K
描述
LASER DIODE, LD/G2, 3 PIN

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HL6316G 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	LD/G2, 3 PIN
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.02
光电设备类型：	LASER DIODE	Base Number Matches：	1

HL6316G 数据手册

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HL6315G/16G

AlGaInP Laser Diodes

ADE-208-218D (Z)

5th Edition

Dec. 2000

Description

The HL6315G/16G are 0.63 µm band AlGaInP laser diodes with a multi-quantum well (MQW) structure.

They are suitable as light sources for laser poiters and optical equipment.

Application

•

Laser pointer

Features

•

•

•

•

•

Visible light output: 635 nm Typ (nearly equal to He-Ne gas laser)

Optical output power: 3 mW CW

Low operating current: 30 mA Typ

Low operating voltage: 2.7 V Max

TM mode oscillation

Package Type

• HL6315G/16G: G2

Internal Circuit

• HL6315G

Internal Circuit

• HL6316G

1

3

1

3

PD

LD

PD

LD

2

2

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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