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HI5735KCB PDF预览

HI5735KCB

更新时间： 2024-02-22 23:33:49
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 转换器光电二极管信息通信管理
页数 文件大小 规格书
12页 139K
描述
12-Bit, 80 MSPS, High Speed Video D/A Converter

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HI5735KCB 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：DIP
包装说明：,针数：28
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.77
Is Samacsys：N转换器类型：D/A CONVERTER
输入位码：BINARY输入格式：PARALLEL, WORD
JESD-30 代码：R-PDIP-T28最大线性误差 (EL)：0.0366%
标称负供电电压：-5.2 V位数：12
功能数量：1端子数量：28
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE认证状态：COMMERCIAL
标称安定时间 (tstl)：0.02 µs标称供电电压：5 V
表面贴装：NO技术：BICMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：DUALBase Number Matches：1

HI5735KCB 数据手册

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HI5735  
Absolute Maximum Ratings  
Thermal Information  
o
Digital Supply Voltage V  
to DGND . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+5.5V Thermal Resistance (Typical, Note 1)  
θJA ( C/W)  
CC  
Negative Digital Supply Voltage DV to DGND . . . . . . . . . . . -5.5V  
EE  
Negative Analog Supply Voltage AV to AGND, ARTN . . . . . -5.5V  
PDIP Package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
SOIC Package. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
Maximum Junction Temperature  
Plastic Packages . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150 C  
Maximum Storage Temperature Range . . . . . . . . . .-65 C to 150 C  
55  
70  
EE  
Digital Input Voltages (D11-D0, CLK) to DGND . . . . . DV  
to -0.5V  
CC  
Internal Reference Output Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±2.5mA  
o
o
o
Voltage from CTRL IN to AV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5V to 0V  
EE  
o
Control Amplifier Output Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±2.5mA  
Maximum Lead Temperature (Soldering 10s) . . . . . . . . . . . . . 300 C  
(SOIC - Lead Tips Only)  
Reference Input Voltage Range . . . . . . . . . . . . . . . . . -3.7V to AV  
EE  
Analog Output Current (I  
OUT  
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .30mA  
Operating Conditions  
Temperature Range  
HI5735BIx . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -40 C to 85 C  
o
o
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation  
of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
NOTE:  
1. θ is measured with the component mounted on an evaluation PC board in free air.  
JA  
Electrical Specifications AV , DV = -4.94 to -5.46V, V = +4.75 to +5.25V, V = Internal  
REF  
EE  
EE  
CC  
o
T = 25 C for All Typical Values  
A
HI5735BI  
= 0 C TO 70 C  
o
o
T
A
PARAMETER  
SYSTEM PERFORMANCE  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
Resolution  
12  
-
0.75  
0.5  
20  
1
-
1.5  
1.0  
75  
10  
0.05  
-
Bits  
LSB  
LSB  
µA  
Integral Linearity Error, INL  
Differential Linearity Error, DNL  
(Note 4) (“Best Fit” Straight Line)  
-
(Note 4)  
-
Offset Error, I  
(Note 4)  
-
OS  
Full Scale Gain Error, FSE  
Offset Drift Coefficient  
(Notes 2, 4)  
(Note 3)  
-
%
o
-
-
-
µA/ C  
Full Scale Output Current, I  
20.48  
-
mA  
V
FS  
Output Voltage Compliance Range  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Throughput Rate  
(Note 3)  
(Note 5)  
-1.25  
0
80  
-
-
-
-
MSPS  
ns  
Output Voltage Full Scale Step  
To ±0.5 LSB Error Band R = 50Ω  
20  
L
Settling Time, t  
SETT  
Full Scale  
(Note 3)  
Single Glitch Area, GE (Peak)  
Doublet Glitch Area, (Net)  
Output Slew Rate  
R
= 50Ω (Note 3)  
-
-
-
5
3
-
-
-
pV-s  
pV-s  
V/µs  
L
L
R
= 50Ω, DAC Operating in Latched Mode  
1,000  
(Note 3)  
Output Rise Time  
Output Fall Time  
R
= 50Ω, DAC Operating in Latched Mode  
-
-
675  
470  
-
-
ps  
ps  
L
(Note 3)  
R
= 50Ω, DAC Operating in Latched Mode  
L
(Note 3)  
Differential Gain  
R
R
= 50Ω (Note 3)  
= 50Ω (Note 3)  
-
-
0.15  
0.07  
-
-
%
L
L
Differential Phase  
Deg  
1623  
1234567...12

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