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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP14,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.87 |
| Is Samacsys： | N | 模拟集成电路 - 其他类型： | DPST |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T14 | JESD-609代码： | e0 |
| 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V | 正常位置： | NO |
| 信道数量： | 2 | 功能数量： | 2 |
| 端子数量： | 14 | 标称断态隔离度： | 60 dB |
| 最大通态电阻 (Ron)： | 50 Ω | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 输出： | SEPARATE OUTPUT |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP14,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | +-15 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Multiplexer or Switches | 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V |
| 表面贴装： | NO | 最长断开时间： | 150 ns |
| 最长接通时间： | 250 ns | 切换： | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HI1-306-5 | RENESAS |
获取价格 |
IC,ANALOG SWITCH,DUAL,DPST,CMOS,DIP,14PIN,CERAMIC |
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| HI1-307/883 | ETC |
获取价格 |
SPDT Analog Switch |
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| HI1-307-2 | RENESAS |
获取价格 |
IC,ANALOG SWITCH,DUAL,SPDT,CMOS,DIP,14PIN,CERAMIC |
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| HI1-307-5 | RENESAS |
获取价格 |
IC,ANALOG SWITCH,DUAL,SPDT,CMOS,DIP,14PIN,CERAMIC |
|
| HI1-307-7 | RENESAS |
获取价格 |
SPDT, 2 Func, 1 Channel, CMOS, CDIP14 |
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| HI13200200J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| HI13203300J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| HI1330C000J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| HI1330C200J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| HI1330C300J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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