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HFU1N80

更新时间： 2022-12-18 01:17:27
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SEMIHOW /
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8页 777K
描述
800V N-Channel MOSFET

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HFU1N80 数据手册

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Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms  
DUT  
+
VDS  
_
IS  
L
Driver  
RG  
Same Type  
as DUT  
VDD  
VGS  
• dv/dt controlled by RG  
• IS controlled by pulse period  
Gate Pulse Width  
--------------------------  
VGS  
D =  
Gate Pulse Period  
10V  
( Driver )  
IFM , Body Diode Forward Current  
IS  
di/dt  
( DUT )  
IRM  
Body Diode Reverse Current  
Body Diode Recovery dv/dt  
Vf  
VDS  
( DUT )  
VDD  
Body Diode  
Forward Voltage Drop  
◎ SEMIHOW REV.A0,April 2006  
1...345678

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