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HFU1N80

更新时间： 2024-02-22 09:01:39

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描述
800V N-Channel MOSFET

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HFU1N80 数据手册

Typical Characteristics (continued)

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

1.2

1.1

1.0

※ Notes :

1. V_GS= 0 V

2. I_D= 250 μ A

0.9

* Notes :

1. V_GS= 10 V

2. I_D= 0.5 A

0.8

-100

-50

100

150

200

-100

-50

100

150

200

T_J, Junction Temperature [^oC]

Figure 8. On-Resistance Variation

vs Temperature

Figure 7. Breakdown Voltage Variation

vs Temperature

10¹

10⁰

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

Operation in This Area

is Limited by R _DS(on)

100 µs

1 ms

10 ms

-1

※ Notes :

1. T_C= 25 ^o

2. T_J= 150 ^o

3. Single Pulse

-2

10⁰

10¹

10²

10³

100

125

150

T_C, Case Temperature [^oC]

V_DS, Drain-Source Voltage [V]

Figure 9. Maximum Safe Operating Area

Figure 10. Maximum Drain Current

vs Case Temperature

D=0.5

10⁰

0.2

※ Notes :

1. Z_θ(t) = 2.78 ℃/W M a x .

2. Duty Factor, D=t₁/t₂

0.1

0.05

-1

3. T_JM- T_C= P_DM* Z_θ(t)

0.02

0.01

P_DM

t₁

single pulse

t₂

-5

-4

-3

-2

-1

10⁰

10¹

t₁, Square Wave Pulse Duration [sec]

Figure 11. Transient Thermal Response Curve

◎ SEMIHOW REV.A0,April 2006

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