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HFA3102B

更新时间： 2024-02-25 03:23:31

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英特矽尔 - INTERSIL		晶体晶体管光电二极管放大器
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6页	57K
描述
Dual Long-Tailed Pair Transistor Array

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HFA3102B 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIE
包装说明：	UNCASED CHIP, R-XUUC-N14	针数：	14
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.57	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
集电极-发射极最大电压：	8 V	配置：	COMPLEX
最高频带：	C BAND	JESD-30 代码：	R-XUUC-N14
元件数量：	2	端子数量：	14
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	UNCASED CHIP	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	10000 MHz	Base Number Matches：	1

HFA3102B 数据手册

HFA3102

Data Sheet

August 1996

File Number 3635.2

Dual Long-Tailed Pair Transistor Array

Features

The HFA3102 is an all NPN transistor array conﬁgured as

dual differential ampliﬁers with tail transistors. Based on

Intersil bonded wafer UHF-1 SOI process, this array

• High Gain-Bandwidth Product (f ) . . . . . . . . . . . . . 10GHz

• High Power Gain-Bandwidth Product. . . . . . . . . . . . 5GHz

• High Current Gain (h ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70

achieves very high f (10GHz) while maintaining excellent

and V matching characteristics over temperature.

• Noise Figure (Transistor) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5dB

• Low Collector Leakage Current . . . . . . . . . . . . . <0.01nA

Collector leakage currents are maintained to under 0.01nA.

Ordering Information

• Excellent h and V Matching

FE BE

TEMP.

PKG.

NO.

• Pin-to-Pin to UPA102G

PART NUMBER RANGE ( C)

PACKAGE

14 Ld SOIC

HFA3102B

-40 to 85

M14.15

Applications

HFA3102B96

14 Ld SOIC Tape M14.15

and Reel

• Single Balanced Mixers

• Wide Band Ampliﬁcation Stages

• Differential Ampliﬁers

Pinout/Functional Diagram

HFA3102

(SOIC)

• Multipliers

TOP VIEW

• Automatic Gain Control Circuits

• Frequency Doublers, Tripplers

• Oscillators

• Constant Current Sources

• Wireless Communication Systems

• Radio and Satellite Communications

• Fiber Optic Signal Processing

• High Performance Instrumentation

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.

3-449

12 3 4 5 6

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